5.0
Оперативная память Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb (M378A5143TB2-CTDD0)
  • 1 модуль памяти DDR4
  • объем модуля 4 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 2666 МГц
  • CAS Latency (CL): 19
5.0
Оперативная память G.SKILL F4-3200C16D-16GSXKB
  • 2 модуля памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3200 МГц
  • радиатор
5.0
Оперативная память Ballistix BLS8G4D30CESTK
  • 1 модуль памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3000 МГц
  • радиатор
3.3
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2C3600C18
  • 2 модуля памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3600 МГц
  • радиатор
5.0
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2C3200C16
  • 2 модуля памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3200 МГц
  • радиатор
5.0
Оперативная память Ballistix BLS8G4D30AESCK
  • 1 модуль памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3000 МГц
  • радиатор
5.0
Оперативная память Ballistix BLS16G4D30AESB
  • 1 модуль памяти DDR4
  • объем модуля 16 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3000 МГц
  • радиатор
5.0
Оперативная память Ballistix BLS8G4D30AESBK
  • 1 модуль памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3000 МГц
  • радиатор
5.0
Оперативная память Ballistix BLS2K8G4D32AESBK
  • 2 модуля памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3200 МГц
  • радиатор
4.9
Оперативная память Ballistix BLS2K8G4D30AESBK
  • 2 модуля памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3000 МГц
  • радиатор
5.0
Оперативная память Ballistix BLS2K8G4D32AESCK
  • 2 модуля памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3200 МГц
  • радиатор
4.0
Оперативная память Ballistix BLS4K8G4D30AESBK
  • 4 модуля памяти DDR4
  • объем модуля 8 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 3000 МГц
  • радиатор